Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BITD

KEY Part #: K7359585

[25904шт сток]


    номер части:
    K4A4G165WE-BITD
    производитель:
    Samsung Semiconductor
    Подробное описание:
    4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Стандартное время изготовления производителя:
    В наличии
    Срок годности:
    Один год
    Чип от:
    Гонконг
    RoHS:
    Способ оплаты:
    Способ отгрузки:
    Семейные Категории:
    KEY Components Co., LTD является дистрибьютором электронных компонентов, который предлагает следующие категории продуктов: LPDDR5, GDDR6, MODULE, DDR3, LPDDR4X, LPDDR4, HBM Aquabolt and LPDDR3 ...
    Конкурентное преимущество:
    Мы специализируемся на электронных компонентах Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD. K4A4G165WE-BITD может быть отправлен в течение 24 часов после заказа. Если у вас есть какие-либо требования к K4A4G165WE-BITD, пожалуйста, отправьте запрос на предложение здесь или отправьте нам письмо по электронной почте: info@key-components.com

    K4A4G165WE-BITD Атрибуты продукта

    номер части : K4A4G165WE-BITD
    производитель : Samsung Semiconductor
    Описание : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Серии : DDR4
    плотность : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    скорость : 2666 Mbps
    напряжение : 1.2 V
    Температура : -40 ~ 95 °C
    пакет : 96FBGA
    Статус продукта : Mass Production

    Вы также можете быть заинтересованы в
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.